[发明专利]一种FTO导电薄膜的刻蚀方法无效
| 申请号： | 201310368914.9 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103422153A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 杨希川 | 申请（专利权）人： | 大连七色光太阳能科技开发有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/14 | 分类号： | C25F3/14;C25F7/00 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116021 辽宁省大连市高*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 fto 导电 薄膜 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：将FTO导电薄膜沉积在基板上，按预制图样在FTO导电薄膜一侧覆盖绝缘抗蚀刻层，进而得到阴极；
将阴极和惰性阳极放置于酸性电解液中，在阴极与阳极间施加恒定电压，未覆盖绝缘抗蚀刻层的FTO导电薄膜被刻蚀去除。
2.根据权利要求1所述FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述基板为硬质基板或柔性基板。
3.根据权利要求2所述FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述硬质基板为玻璃基板；所述柔性基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯板或聚对萘二甲酸乙二醇酯板。
4.根据权利要求1所述FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述绝缘抗蚀刻层采用热固化型绝缘抗蚀刻剂或光固化型绝缘抗蚀刻剂制备而成。
5.根据权利要求1所述FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述惰性阳极为金、铂、铷或石墨电极。
6.根据权利要求1所述FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述酸性电解液为盐酸、硫酸、硝酸和醋酸溶液中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述酸性电解液中酸的质量浓度为0.1% - 30%。
8.根据权利要求1所述FTO导电薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述恒定电压为0.2V - 15V。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连七色光太阳能科技开发有限公司，未经大连七色光太阳能科技开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310368914.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于出钞模块的安全装置
- 下一篇：接地线借出、归还管理系统
