[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法，该TFT阵列基板形成于底板底板上，其包括：扫描线、数据线、像素电极、TFT单元、以及有源层，所述TFT单元包括与扫描线连接的栅极、与数据线电性连接源极、以及与像素电极连接的漏极，所述有源层由IGZO制成的，所述像素电极、源极、和漏极均由离子注入工艺将裸露的IGZO层成为具有导电特性的导体而形成，且所述像素电极、源极、和漏极、有源层均位于TFT阵列基板的底层。本发明属于自对齐顶栅结构的TFT,通过使用IGZO的材料使本发明光罩张数减至3张或2张，降低了生产成本，且自对齐顶栅结构的TFT的应用，减小了TFT的寄生电容，不再需要较大的存储电容来平衡回踢电压，提高了开口率。

主权项

一种TFT阵列基板，该TFT阵列基板形成于底板上，其包括：扫描线、与扫描线纵横交错的数据线、以及由扫描线和数据线交叉限定的若干像素单元，每个像素单元均包括像素电极、TFT单元、以及有源层，所述TFT单元包括与扫描线连接的栅极、与数据线电性连接源极、以及与像素电极连接的漏极，其特征在于：所述有源层由IGZO制成的，所述像素电极、源极、和漏极均由离子注入工艺将裸露的IGZO层成为具有导电特性的导体而形成，且所述像素电极、源极、和漏极、有源层均位于TFT阵列基板的底层。