[发明专利]一种高压器件的低压区的制备方法

摘要

本发明公开一种高压器件的低压区的制备方法。该制备方法包括以下步骤提供基底，该基底包括高压区和低压区，高压区和低压区的表面均覆盖有厚栅氧层；在基底上涂覆第一光刻胶进行曝光显影，第一光刻胶的厚度小于6000埃；采用湿法腐蚀去除低压区表面覆盖的厚栅氧层；去除第一光刻胶；涂覆第二光刻胶进行曝光显影，第二光刻胶的厚度大于36000埃；对低压区的需要进行深井注入的区域进行深井注入；去除第二光刻胶。根据本发明的高压器件的低压区的制备方法，可以使光阻的曝光显影过程充分完成，不出现有机残留物，从而避免了厚栅氧湿法腐蚀后的氧化硅残留问题，并且还可以充分阻挡高能离子注入产品的非注入区域。

主权项

一种高压器件的低压区的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底，所述基底包括高压区和低压区，所述高压区和所述低压区的表面均覆盖有厚栅氧层；在所述基底上涂覆第一光刻胶进行曝光显影，以露出所述低压区及所述低压区表面覆盖的所述厚栅氧层，所述第一光刻胶的厚度小于6000埃，所述曝光显影完成之后不出现有机残留物，以避免后续湿法腐蚀所述厚栅氧层后出现氧化硅残留；采用湿法腐蚀去除所述低压区表面覆盖的所述厚栅氧层；去除所述第一光刻胶；涂覆第二光刻胶进行曝光显影，以露出所述低压区的需要进行深井注入的区域，所述第二光刻胶的厚度大于36000埃；对所述低压区的需要进行深井注入的区域进行深井注入；去除所述第二光刻胶。