[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其包括提供具有正面和反面的晶圆，其中晶圆包括有第一导电类型的半导体衬底、基于半导体衬底在晶圆的正面侧形成的第二导电类型的基极层以及从基极层的正面贯穿基极层至所述半导体衬底的多个沟槽；通过沟槽向位于基极层下方的半导体衬底注入第一导电类型杂质以在沟槽的底部外侧形成第一导电类型注入区；进行高温推阱使得相邻的两个沟槽的底部外侧形成的注入区杂质扩散并相融合以在基极层下方形成第一导电类型扩散层，其中扩散层的第一导电类型杂质的浓度较半导体衬底的第一导电类型杂质的浓度高。由于该制造方法与现有的常规工艺兼容，且工艺简单，效率高，无需专用的高能注入设施。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，其包括：提供具有第一主面和第二主面的N‑型半导体衬底，N型为第一导电类型；在所述半导体衬底的第一主面侧形成Pbody层，所述Pbody层为基极层，P型为第二导电类型；在形成有Pbody层的半导体衬底的第一主面上淀积硬掩膜；在所述硬掩膜上有选择的刻蚀出沟槽的腐蚀窗口；通过该腐蚀窗口进行沟槽腐蚀，以形成从所述Pbody层的第一主面贯穿所述Pbody层至半导体衬底的多个沟槽；在沟槽的槽内表面上形成牺牲氧化层；通过所述沟槽向位于所述基极层下方的半导体衬底注入第一导电类型杂质以在所述沟槽的底部外侧形成第一导电类型注入区，其中通过所述牺牲氧化层向所述沟槽的底部注入第一导电类型杂质；进行高温推阱使得相邻的两个沟槽的底部外侧形成的注入区杂质扩散并相融合以在所述基极层下方形成第一导电类型扩散层，其中所述扩散层的第一导电类型杂质的浓度较所述半导体衬底的第一导电类型杂质的浓度高，第一导电类型扩散层为N+型扩散层，在形成有N+型扩散层的晶圆的正面继续形成所述绝缘栅双极晶体管的剩余正面结构；在所述半导体衬底的第二主面侧形成第二导电类型的半导体层，然后在所述半导体衬底的第二主面上形成于与所述第二导电类型的半导体层电接触的第二主电极。