[发明专利]一种用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法无效
| 申请号： | 201310343314.7 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103361694A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王溯;于仙仙;马丽;李艳艳 | 申请（专利权）人： | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/04 | 分类号： | C25D7/04;C25D7/12;C25D3/38;C25D21/12 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 贾慧琴 |
| 地址： | 201616 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法，包含步骤1：配制甲基磺酸铜体系电镀液；步骤2：通过电镀预处理对硅通孔技术的微孔进行润湿；步骤3：带电入槽，增加超小电流扩散步骤，使铜离子和添加剂在硅通孔技术的微孔表面和孔内部实现合理分布；步骤4：将硅通孔技术所在晶圆片与电源阴极连接，使晶圆电镀面完全浸泡在电镀溶液中，在阴极旋转或搅拌情况下进行分步电流法电镀，电镀条件为电流密度0.01-10A/dm2，温度15-30℃；步骤5：将晶圆用去离子水完全冲洗干净，甩干或吹干。本发明提供的用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法，填孔速度快，面铜薄，无空洞和裂缝风险，能实现深宽大于10∶1的高难孔型的完全填充。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 互连 高深 硅通孔 技术 微孔 电镀 方法 | ||
【主权项】：
一种用于3D铜互连高深宽比硅通孔技术微孔电镀填铜方法，其特征在于，该方法包含：步骤1，配制甲基磺酸铜体系电镀液；步骤2，通过电镀预处理对硅通孔技术的微孔进行润湿；步骤3，带电入槽，增加超小电流扩散步骤，使铜离子和添加剂在硅通孔技术的微孔表面和孔内部实现合理的分布；步骤4，将硅通孔技术所在晶圆片与电源阴极连接，使晶圆电镀面完全浸泡在电镀溶液中，在阴极旋转或搅拌情况下进行分步电流法电镀，电镀条件为电流密度0.01‑10A/dm2，温度15‑30℃；步骤5，电镀结束后，将晶圆用去离子水完全冲洗干净，甩干或吹干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新阳半导体材料股份有限公司，未经上海新阳半导体材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310343314.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
