[发明专利]一种形成接触孔的方法

摘要

本发明提供一种形成接触孔的方法，涉及半导体技术领域。该方法包括步骤S101提供前端器件，所述前端器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的栅极和有源区、接触孔刻蚀阻挡层、以及层间介电层；步骤S102对层间介电层进行刻蚀，在拟形成接触孔的位置形成层间介电层的开口；步骤S103对接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成接触孔刻蚀阻挡层的开口，其中，接触孔刻蚀阻挡层的开口和层间介电层的开口共同构成所述接触孔；步骤S104采用基于氯气的反应气体对栅极进行处理，去除栅极表面的氧化物层。该方法由于采用基于氯气的反应气体对栅极进行处理来去除栅极表面的氧化物层，不会对半导体衬底位于接触孔底部的部分造成不当刻蚀，因而可以避免产生漏电流。

主权项

一种形成接触孔的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供前端器件，所述前端器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的金属栅极和有源区、覆盖所述金属栅极与所述有源区的接触孔刻蚀阻挡层、以及位于所述接触孔刻蚀阻挡层之上的层间介电层；步骤S102：对所述层间介电层进行刻蚀，在拟形成接触孔的位置形成层间介电层的开口，所述层间介电层的开口贯穿所述层间介电层；步骤S103：对所述接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，在所述层间介电层的开口的下方形成接触孔刻蚀阻挡层的开口，所述接触孔刻蚀阻挡层的开口贯穿所述接触孔刻蚀阻挡层，其中，所述接触孔刻蚀阻挡层的开口和所述层间介电层的开口共同构成了所述接触孔；步骤S104：采用基于氯气的反应气体对所述金属栅极进行处理，去除所述金属栅极表面由于自氧化而形成的金属氧化物层。