[发明专利]三极管低频噪声的模型方法

摘要

本发明公开了一种三极管低频噪声的模型方法，用于模拟三极管的低频噪声，包括步骤建立三极管模型；在三极管模型的基极端增加基极散弹噪声电流源，基极散弹噪声电流源的大小为本发明方法通过在三极管模型的基极端增加基极散弹噪声电流源，能很好模拟密勒效应引出的低频噪声，从而能提高模型精度。

主权项

一种三极管低频噪声的模型方法，用于模拟三极管的低频噪声，其特征在于，包括步骤：步骤一、建立三极管模型；步骤二、在所述三极管模型的基极端增加基极散弹噪声电流源，该基极散弹噪声电流源的大小为：其中q为单位电荷，Ib为所述三极管的基极电流，ω为角频率；α为拟合因子，取值范围为0.5<α<2；C＝Cbe+(1+β)Cbc，Cbe为所述三极管的基极‑发射极结电容和Cbc为所述三极管的基极‑集电极结电容，β为所述三极管的放大系数；rbe为所述三极管的基极‑发射极结电阻；Cbe和Cbc采用如下方法得到：步骤21、在硅片上形成射频测试结构、去嵌结构和直通结构；所述射频测试结构包括两个GSG测试端口和一个被测试三极管，所述被测试三极管和所要模拟的所述三极管相同；所述GSG测试端口表示地‑信号‑地测试端口；所述第一GSG测试端口和所述第二GSG测试端口的信号端位于第一直线上，所述被测试三极管位于所述第一GSG测试端口和所述第二GSG测试端口的信号端之间，所述被测试三极管的基极和第一GSG测试端口的信号端连接，所述被测试三极管的集电极和第二GSG测试端口的信号端连接；所述第一GSG测试端口的两个接地端分别位于信号端的两侧，所述第二GSG测试端口的两个接地端分别位于信号端的两侧，位于所述第一直线的同侧的所述第一GSG测试端口和所述第二GSG测试端口的接地端位于和所述第一直线平行的直线上；所述去嵌结构包括第三GSG测试端口和第四GSG测试端口，所述去嵌结构和所述射频测试结构相比，所述去嵌结构去除了所述被测试三极管、所述被测试三极管和所述第一GSG测试端口的连线、所述被测试三极管和所述第二GSG测试端口的连线；所述第三GSG测试端口和所述第四GSG测试端口的结构和所述第一GSG测试端口和所述第二GSG测试端口的结构相同，且所述第三GSG测试端口和所述第四GSG测试端口之间的距离和所述第一GSG测试端口和所述第二GSG测试端口之间的距离相同；所述直通结构包括第五GSG测试端口和第六GSG测试端口，所述直通结构和所述射频测试结构相比，所述直通结构去除了所述被测试三极管；所述第五GSG测试端口和所述第六GSG测试端口的结构和所述第一GSG测试端口和所述第二GSG测试端口的结构相同，且所述第五GSG测试端口和所述第六GSG测试端口的信号端之间由连线连接，且该连线的长度等于所述被测试三极管和所述第一GSG测试端口的信号端的连线长度加上所述被测试三极管和所述第二GSG测试端口的信号端的连线长度；步骤22、在扫描频率为100MHz的条件下对所述射频测试结构进行测试得到散射参数，在扫描频率为100MHz的条件下对所述所述去嵌结构进行测试得到去嵌参数，在扫描频率为100MHz的条件下对所述所述直通结构进行测试得到直通参数；步骤23、利用所述去嵌参数和所述直通参数对所述散射参数去嵌后得到Y参数，Y参数为导纳参数，Cbe的值为(Y11+Y12)/2πf，Cbc的值为(Y22+Y21)/2πf，其中，f为频率、且f值为100MHz，所述Y参数为2×2矩阵，Y11、Y12、Y21、Y22分别为所述Y参数的矩阵元素。