[发明专利]一种提高光电倍增器光阴极光利用率的优化设计方法有效
| 申请号： | 201310335276.0 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103456594A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张清民;严俊;贺朝会;王三丙;罗茂益 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01J43/12 | 分类号： | H01J43/12;H01J43/28 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 何会侠 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高光电倍增器光阴极光利用率的优化设计方法，步骤如下：1、选取光电倍增器几何体的形状参数；2、在程序中描述其基本几何特征层；3、输入所述基本几何特征层的材料参数；4、定义相邻基本几何特征层之间的界面；5、光子在工作介质中随机产生，方向随机，波长从探测光谱抽样；6、模拟光子在上述材料中的物理过程，并判断光子是否到达光阴极界面；7、计算得出光子到达光阴极的比例并判断是否返回步骤2，从而得到光子到达光阴极的比例随形状参数值的变化曲线，据此来选择最优的形状参数值，以提高光阴极光利用率，达到提高光电倍增器性能的目的；本方法可针对光电倍增器的工作环境和光电倍增器的探测光谱来进行专门的优化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 光电 倍增器 光阴 极光 利用率 优化 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种提高光电倍增器光阴极光利用率的优化设计方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1：选取光电倍增器几何体的形状参数，对于椭球体选取长短轴比为形状参数R，所述的形状参数R选取的初始形状参数值为1.0；步骤2：利用蒙特卡洛程序描述光电倍增器的几何体的基本几何特征层，基本几何特征层分为五部分，从外向里分别是：光电倍增器工作介质（1）、入射窗玻璃层（2）、光阴极（3）、真空（4）、电子倍增部分（5）；步骤3：输入所述基本几何特征层的材料参数，材料参数包括：化学成分、密度、物质对于不同波长光的折射率和吸收长度；步骤4：定义光电倍增器相邻基本几何特征层之间的界面，从外向里依次包括四个界面，分别为入射窗玻璃界面（8）、光阴极界面（9）、真空界面（10）、电子倍增器界面（11），当光通过界面时有反射和折射，服从斯涅尔定律；步骤5：根据探测光光谱抽样光子的波长，光子随机产生于靠近入射窗玻璃界面（8）的光电倍增器工作介质中，运动方向随机，为了减小统计误差每次模拟预设数量的光子；步骤6：模拟光子在上述材料中的物理过程，并判断光子是否到达光阴极（3）；步骤7：计算得出光子到达光阴极（3）的比例A，A=m/n，其中:n为在光电倍增器工作介质（1）中产生的到达入射窗玻璃界面（8）的光子数，m为到达光阴极（3）的光子数；根据如下判断规则决定是否返回步骤2；判断规则为：每一个形状参数值对应一个光子到达光阴极（3）的比例，通过增大形状参数R的形状参数值，能够得到光子到达光阴极（3）的比例随所述 形状参数值的变化曲线，得到的曲线中光子到达光阴极（3）的比例最大值，对应的形状参数值为最优形状参数值，当达光阴极（3）的比例为最大值时，输出结果，否则，返回步骤2重复上述步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310335276.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 用于空间光通信具有位敏薄膜栅极的微通道光电倍增管-201611011295.8
- 母一宁;刘春阳;李野 - 长春理工大学
- 2016-11-10 - 2019-06-07 - H01J43/12
- 用于空间光通信具有位敏薄膜栅极的微通道光电倍增管属于光电真空器件技术领域。现有技术加速电场强度过大，加速距离过长，位敏阳极可能发生自饱和。本发明其组成部分包括窗口、光电阴极、微通道板、阳极，微通道板有多级，在光电阴极、各级微通道板、阳极之间加有方向相同的电压，由阳极输出光电流，阳极微通道板位于最后一级微通道板与阳极之间；其特征在于，位敏阳极位于在阳极微通道板正面，绝缘膜位于位敏阳极、阳极微通道板正面金属膜之间，位敏阳极及绝缘膜均为网状膜，网孔与阳极微通道板的微通道对应，由位敏阳极输出激光通信定位光光电流，由阳极输出激光通信信号光光电流。
- 采用高温共烧多层陶瓷工艺制作矩阵阳极及方法-201510773752.6
- 杨杰;李永彬;赵文锦 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2015-11-13 - 2017-07-25 - H01J43/12
- 本发明是采用高温共烧多层陶瓷工艺制作矩阵阳极及方法，其结构矩阵阳极多层陶瓷基板与管壳体间是可伐封接盘，可伐封接盘接矩阵阳极多层陶瓷基板，可伐封接盘接管壳体，矩阵阳极多层陶瓷基板位于真空腔体内部表面为均匀排布的x×x金属触点阵列，形成阳极输入阵列，矩阵阳极多层陶瓷基板位于真空腔体外部表面为均匀排布的x×x引出针，形成阳极输出阵列。优点由于基板每层可印刷金属线条，并通过垂直金属化通孔进行互连布线，基板两侧电极的间距可以做得不同，金属电极和电极绝缘间隙能实现很小的物理尺寸，实现更高密度的矩阵阳极；采用半导体制作工艺，制作的矩阵阳极较传统技术具有更好的一致性，可改善阳极响应不均匀性，提高生产效率。
- 一种提高光电倍增器光阴极光利用率的优化设计方法-201310335276.0
- 张清民;严俊;贺朝会;王三丙;罗茂益 - 西安交通大学
- 2013-08-02 - 2013-12-18 - H01J43/12
- 一种提高光电倍增器光阴极光利用率的优化设计方法，步骤如下：1、选取光电倍增器几何体的形状参数；2、在程序中描述其基本几何特征层；3、输入所述基本几何特征层的材料参数；4、定义相邻基本几何特征层之间的界面；5、光子在工作介质中随机产生，方向随机，波长从探测光谱抽样；6、模拟光子在上述材料中的物理过程，并判断光子是否到达光阴极界面；7、计算得出光子到达光阴极的比例并判断是否返回步骤2，从而得到光子到达光阴极的比例随形状参数值的变化曲线，据此来选择最优的形状参数值，以提高光阴极光利用率，达到提高光电倍增器性能的目的；本方法可针对光电倍增器的工作环境和光电倍增器的探测光谱来进行专门的优化设计。
- 专利分类
