[发明专利]加成固化型硅酮组合物、及半导体装置无效
申请号: | 201310331667.5 | 申请日: | 2013-08-01 |
公开(公告)号: | CN103571209A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 小材利之;茂木胜成 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08L83/05;H01L51/56 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张永康;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种加成固化型硅酮组合物、及以该组合物的固化物将半导体元件覆盖而成的可靠性优异的半导体装置,该加成固化型硅酮组合物,粘度低且填充性良好,固化性良好,固化并形成折射率大、透光率高、对基材的密接性高、抗裂性优异、透气性低的固化物。本发明提供一种加成固化型硅酮组合物,其含有:(A)平均单元式(1)表示的有机聚硅氧烷100质量份;(B)平均单元式(2)表示的有机聚硅氧烷1~500质量份;(C)通式(3)表示的1分子中具有至少2个Si-H键的有机氢聚硅氧烷,相对于(A)+(B)成分合计100质量份,为1~200质量份的量;及(D)促进本组合物的固化的量的氢化硅烷化反应用催化剂。 | ||
搜索关键词: | 加成 固化 硅酮 组合 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种加成固化型硅酮组合物,其特征在于,其含有:(A)由下述平均单元式(1)所表示的有机聚硅氧烷100质量份:(R1SiO3/2)a1(R12SiO2/2)b1(R13SiO1/2)c1(X1O1/2)d1 (1)式(1)中,R1可以相同或不同,且为取代或未被取代的一价烃基,并且,R1的0.1~50摩尔%为烯基,R1的10摩尔%以上为芳基;X1为氢原子或烷基;a1为0.25~1,b1为0~0.75,c1为0~0.3,d1为0~0.1,且a1+b1+c1+d1=1,(B)由下述平均单元式(2)所表示的有机聚硅氧烷1~500质量份:(R2SiO3/2)a2)(R22SiO2/2)b2(R23SiO1/2)c2(X2O1/2)d2 (2),式(2)中,R2可以相同或不同,且为取代或未被取代的一价烃基,并且,R2的0.001~20摩尔%为烯基,R2的10摩尔%以上为芳基;X2为氢原子或烷基;a2为0~0.1,b2为0.5~0.995,c2为0.005~0.5,d2为0~0.1,且a2+b2+c2+d2=1,(C)由下述通式(3)所表示的1分子中具有至少2个Si-H键的有机氢聚硅氧烷,相对于(A)+(B)成分合计100质量份,为1~200质量份的量:
式(3)中,R3为氢原子、烷基、芳基、及卤代烷基中的任一种,重复单元之间和重复单元内的各个R3可以相同或不同;m为0以上的整数,及,(D)促进本组合物的固化的量的氢化硅烷化反应用催化剂。
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