[发明专利]有机薄膜钝化的有机-无机杂化太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310313827.3 申请日: 2013-07-24
公开(公告)号: CN103346260A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 孙宝全;刘东;宋涛;申小娟;张付特 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开一种有机薄膜钝化硅表面的有机-无机杂化太阳能电池,主要包括正面银栅电极、有机导电薄膜、烷基化处理的n型单晶硅基体、背面铝电极或铟镓合金电极,还包括有机薄膜钝化层,有机薄膜钝化层覆于烷基化处理的n型单晶硅基体的正面,上覆盖有机导电薄膜,有机导电薄膜上设有正面银栅电极,烷基化处理的n型单晶硅基体的背面覆有铝电极或铟镓合金电极,并与之形成欧姆接触;本发明采用简单的旋涂法在硅表面形成不同种类的有机钝化膜,形成基于有机薄膜钝化层的光电转化效率达到11%有机-无机杂化的异质结太阳能电池。
搜索关键词: 有机 薄膜 钝化 无机 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于有机薄膜钝化硅表面的有机‑无机杂化太阳能电池,主要包括正面银栅电极、有机导电薄膜、烷基化处理的n型单晶硅基体、背面铝电极或铟镓合金电极其特征在于,其特征在于:所述的有机‑无机杂化太阳能电池还包括有机薄膜钝化层;其中,所述有机薄膜钝化层覆于烷基化处理的n型单晶硅基体的正面,有机薄膜钝化层上覆盖有机导电薄膜,有机导电薄膜上设有正面银栅电极,烷基化处理的n型单晶硅基体的背面覆有铝电极或铟镓合金电极,所述铝电极或铟镓合金电极与烷基化处理的n型单晶硅基体形成欧姆接触。
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