[发明专利]MIM电容器件失效分析方法

摘要

本发明涉及一种MIM电容器件失效分析方法，MIM电容器件位于一硅衬底上并包括一上极板、一下极板和一位于上极板与下极板之间的绝缘层，硅衬底上还至少包括一位于MIM电容器件上方的金属层，上、下极板分别与金属层的第一、第二电路区电连接，该方法包括如下步骤：a)确定下极板有无接地，若没有，则执行步骤b)；否则，执行步骤d)；b)寻找与MIM电容器件层间距离最近的电源总线；其中，电源总线包括一接地引线；c)形成一连接下极板与电源总线的电路通路；d)通过电压衬度检测确定MIM电容器件的漏电区域。其在通过电压衬度检测MIM电容漏电区域时，不会漏过漏电程度较小的情况，便于观测、也更加可靠。

主权项

一种MIM电容器件失效分析方法，所述MIM电容器件位于一硅衬底上并包括一上极板、一下极板和一位于所述上极板与下极板之间的绝缘层，所述硅衬底上还至少包括一位于所述MIM电容器件上方的金属层，所述上、下极板分别与所述金属层的第一、第二电路区电连接，所述方法包括如下步骤：a)、确定所述下极板有无接地，若没有，则执行步骤b)；否则，执行步骤d)；b)、寻找与所述MIM电容器件层间距离最近的电源总线；其中，所述电源总线包括一接地引线；c)、形成一连接所述下极板与所述电源总线的电路通路；d)、通过电压衬度检测确定所述MIM电容器件的漏电区域。