[发明专利]沉积掩模无效
申请号: | 201310310143.8 | 申请日: | 2013-07-23 |
公开(公告)号: | CN103388128A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 钱自财 | 申请(专利权)人: | 钱自财 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315174 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种沉积掩模,其特征在于:所述的有机材料沉积装置包含有一个真空室,其内设有有机材料沉积坩埚,该坩埚中安装有框架、沉积掩模,框架包括有开口;所述的沉积掩模上有基板,基板上可安装有磁阵列。所述的沉积掩模可包含有掩模主体和涂覆层,掩模主体多个狭缝,有机材料可穿过狭缝,涂覆层可被涂覆在掩模主体的表面上。本发明的有益效果是:具有较好的耐用性和较高的强度性,方便实用,清晰度高,且沉积面上有精细控制的尺寸的狭缝,提高了生产过程中的准确性。 | ||
搜索关键词: | 沉积 | ||
【主权项】:
一种沉积掩模,其特征在于:所述的有机材料沉积装置包含有一个真空室(30),其内设有有机材料沉积坩埚(20),该坩埚中安装有框架(10)、沉积掩模(100),框架(10)包括有开口(11);所述的沉积掩模(100)上有基板(200),基板(200)上可安装有磁阵列(40)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的