[发明专利]一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法有效
申请号: | 201310306649.1 | 申请日: | 2013-07-19 |
公开(公告)号: | CN103440361A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 宋亦旭;高扬福;孙晓民 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种等离子体刻蚀表面演化仿真中刻蚀产额的建模方法,属于微电子加工技术中对刻蚀表面过程模拟技术领域;该方法包括:将多种离子的刻蚀产额模型进行参数化表示;采用优化算法来得到刻蚀产额模型中的优化参数;在优化过程中,选取沟槽表面的一些特定位置,通过比较演化过程中不同时刻这些点的模拟刻蚀速率与实际刻蚀速率来计算每组模型参数的优劣(适应值),作为优化算法选择、生成下一步模型参数集的依据。将得到模型参数代入到模型参数化的公式中,即得到刻蚀产额的模型。本发明能根据刻蚀加工数据对多种离子的刻蚀产额模型参数进行优化,解决了离子轰击实验法和分子动力学方法求取刻蚀产额参数不准确的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 刻蚀 工艺 建模 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体刻蚀表面演化仿真中刻蚀产额的建模方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:1)设置刻蚀产额模型参数的取值范围,设计不同时间不同参数的刻蚀加工工艺,利用扫描电镜分析剖面图片,或者针对给定的加工剖面,利用刻蚀剖面演化算法对中间过程仿真,获得宽度不同的p组不同刻蚀时间不同剖面位置点的实际刻蚀速率Vr;2)选择刻蚀产额模型参数的优化算法及设置该优化算法的初始参数,设置优化算法的最大执行次数Nmax及优化算法的精度eps,以及沟槽表面预先选定的位置入射离子的初始参数;3)根据优化算法的要求和刻蚀产额模型参数的取值范围,生成由Npop组模型参数组成的初始模型参数集,以及优化算法的精英种群及初始向量:4)利用刻蚀产额与刻蚀速率的关系计算刻蚀产额模型参数集中每组模型参数的适应值;5)根据每组模型参数的适应值,利用优化算法搜索形成下一步模型参数集;6)重复执行步骤4)‑5),直到达到最大执行次数Nmax或满足指定的精度eps后的模型参数集作为优化模型参数集;7)从优化模型参数集选出最优的模型参数并输出,代入刻蚀产额模型参数化表示公式中,即得到刻蚀产额的模型。
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