[发明专利]外延结构的电子阻挡层生长方法及其相应的外延结构有效
| 申请号： | 201310292533.7 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN103337451A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 张宇 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;郑隽 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了外延结构的电子阻挡层生长方法及其相应的外延结构，外延结构的电子阻挡层包括20-25个单元层，每一单元层从下至上依次包括：阱层，所述阱层为厚度1-1.5nm的P型InyGa（1-y）N层，y=0.05-0.10；磊层，所述磊层为厚度1-1.5nm的GaN层。本发明的新型InGaN/GaN超晶格改善了传统PAlGaN的空穴浓度、空穴注入效率、电子外溢情况，减小大电流下芯片的Droop效应，减少量子阱伤害，大幅度提高大功率LED芯片的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 电子 阻挡 生长 方法 及其 相应 | ||
【主权项】：
一种外延结构的电子阻挡层生长方法，其特征在于，包括以下步骤：A、在温度为860‑900℃，压力为250‑350mbar的反应室内，通入1000～1500sccm的Mg以生长掺Mg的超晶格电子阻挡层单元，其中，Mg的掺杂浓度为7E+19～1E+20atom/cm3；所述电子阻挡层单元数目为20‑25；电子阻挡层的厚度为40‑75nm；B、通入800～1600sccm的In生长阱层，阱层为厚度1‑1.5nm的P型InyGa（1‑y）N层，y=0.05‑0.10，In的浓度控制在1E+18～2E18；C、生长磊层为1‑1.5nm厚度的GaN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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