[发明专利]一种提高辣椒辣红素含量的方法无效
申请号: | 201310284343.0 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN103329661A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 蔡长龙;马睿;廉振民;彭渝丽;梁海锋;刘正利;严一心 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
主分类号: | A01C1/00 | 分类号: | A01C1/00 |
代理公司: | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人: | 黄秦芳 |
地址: | 710032*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高辣椒辣红素含量的方法。植物新品种的选育方法很多,主要有自然变异、杂交育种、太空育种以及离子注入诱变育种等,但自然变异频率较低。本发明将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分;将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源;真空系统抽取真空至10-4Pa;开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数;进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。本发明采用的离子注入诱变育种技术,工艺参数离子能量和注入剂量方便调整和控制,适应性强,变异频率高,变异谱宽,稳定可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 辣椒 辣红素 含量 方法 | ||
【主权项】:
一种提高辣椒辣红素含量的方法,其特征在于:由以下步骤实现:步骤一:将辣椒籽竖直均匀地插入培养皿的花泥,胚芽朝上,露出辣椒籽的胚芽部分;步骤二:将准备好的辣椒籽培养皿样品放在离子注入真空系统中,面向离子源;步骤三:真空系统抽取真空至10‑4Pa;步骤四:开启离子辐射源,调整离子辐射工艺参数;步骤五:进行离子辐射,完成后关闭离子辐射源,给真空系统充气,取出辣椒籽干种子进行培育。
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