[发明专利]一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法

摘要

本发明公开了一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法，属于半导体技术领域。该方法包括：提供一衬底；在衬底上生长复合缓冲层，该复合缓冲层为多周期结构，每一周期包括AlxGa1-xN层和在该AlxGa1-xN层上生长的InyGa1-yN层，其中0

主权项

一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长复合缓冲层，所述复合缓冲层为多周期结构，每一周期包括AlxGa1‑xN层和在所述AlxGa1‑xN层上生长的InyGa1‑yN层，其中0

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