[发明专利]基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备无效
| 申请号： | 201310280782.4 | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103368042A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 倪海桥;丁颖;徐应强;李密锋;喻颖;査国伟;徐建新;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激发后产生太赫兹波。本发明将半导体超短脉冲激光器和半导体光放大器以及光电导天线或电光晶体结合在一起，搭建出有效的太赫兹源。和传统的太赫兹源设备相比，体积大大缩小，成本降低，转换效率提高，可以解决太赫兹源的微型化和普及化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 超短 脉冲 激光器 赫兹 设备 | ||
【主权项】：
一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激发后产生太赫兹波。
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