[发明专利]测试结构无效
| 申请号： | 201310264755.8 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103337468A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王炯;尹彬锋;周柯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测试结构，通过在测试结构的栅氧结构与栅极测试焊垫或者衬底测试焊垫之间增加一金属连线结构，该金属连线结构的电阻值由构成该金属连线结构的金属层的长短控制，且工艺简单，容易实行，从而克服现有技术中由于氧化层被击穿时电流较大，导致探针针尖容易被烧坏的问题，也克服现有技术中即使能够一定程度的保护探针，但是工艺繁琐，较难实行的问题，进而避免了探针针尖的烧坏，提高了测试效率，降低了工艺难度，进一步的降低了半导体器件的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种测试结构，应用于氧化层的击穿测试工艺中，所述测试结构包括栅氧结构、栅极测试焊垫和衬底测试焊垫；所述衬底测试焊垫与所述栅氧结构电连接，其特征在于，所述测试结构还包括金属连线结构；所述栅极测试焊垫通过所述金属连线结构与所述栅氧结构电连接；其中，多个金属层依次电连接构成所述金属连线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
