[发明专利]基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法有效
| 申请号： | 201310264472.3 | 申请日： | 2013-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103367567A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王庶民;顾溢;宋禹忻;叶虹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元素引起的III族元素互扩散实现非矩形量子阱结构，该方法可有效地控制材料组分，克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变矩形量子阱结构的问题，为量子结构和功能的设计及实现引入更大的自由度；本发明的制备方法适合采用分子束外延、原子层沉积等多种材料生长手段，操作工艺简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 元素 矩形 iii 半导体 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于铋元素的非矩形III‑V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III‑V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，其特征在于：所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。
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