[发明专利]用于制冷或制热器件的P型半导体元件制作方法有效
| 申请号： | 201310257329.1 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103456876A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈志明;顾伟 | 申请（专利权）人： | 陈志明;顾伟;苏州伟源新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550200 贵州*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制冷或制热器件的P型半导体元件制作方法，其特征在于：该P型半导体元件由碲、铋、锑材料制成，先将碲、铋、锑材料粉碎并磨成2000目或2000目以上，然后将各材料按重量份计的配比进行配料得混合料，其配比为：碲50～60份、铋15～20份、锑25～30份。本发明的P型半导体元件在工作时两端的温差较大，经测试本发明的P型半导体元件在工作时其冷端与热端的温差达73～78度左右。所以本发明具有工作效率高、能耗较低的优点。本发明的P型半导体元件特别适合于用于制作半导体的制冷或制热器件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制冷 制热 器件 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于制冷或制热器件的P型半导体元件制作方法，其特征在于：该P型半导体元件由碲、铋、锑材料制成，先将碲、铋、锑材料粉碎并磨成2000目或2000目以上，然后将各材料按重量份计的配比进行配料得混合料，其配比为：碲50～60份、铋15～20份、锑25～30份；将混合料混合均匀后放入用于熔炼的玻璃管中，并将玻璃管带料一起烘干后进行拉脖和抽真空处理，然后将装有混合料的玻璃管放入摇摆炉中进行真空摇摆熔炼，其熔炼温度控制在650～750℃，熔炼时间控制在15～25分钟，然后将玻璃管从摇摆炉取出并在室温下自然冷却；将自然冷却后的玻璃管带料垂直放入拉晶炉中进行拉晶处理，拉晶温度为600～750℃，按每小时2～3厘米的速度进行拉晶，拉晶时间控制在16～20小时，待拉晶完成后即可制得P型半导体晶棒，将制得的P型半导体晶棒经切片、切割制粒后即可制作得到P型半导体元件。
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