[发明专利]提高离子注入机使用周期的锗注入方法无效
| 申请号： | 201310256817.0 | 申请日： | 2013-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103413746A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 赖朝荣;常明刚;苏俊铭;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的提高离子注入机使用周期的锗注入方法，包括：将晶圆放入离子注入腔室，对腔室抽真空；向离子注入腔室内通入GeF4和SiH4气体；GeF4和SiH4气体发生分解，分解的Si+、游离的F和游离的H被排出腔室；腔室内分解的Ge+注入到晶圆内；其中，游离的F和游离的H反应生成HF气体，被抽出腔室；腔室内分解的Si+和Ge+进入引出极的磁场，Si+不能通过引出极磁场而被排除，Ge+经磁场发生偏转后注入晶圆内。本发明的方法，改进了传统锗注入的方法，避免了在离子注入腔体上形成毛屑物，减少了对腔体的腐蚀，同时降低工艺危险性，提高锗注入工艺后离子注入机的使用周期。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 离子 注入 使用 周期 方法 | ||
【主权项】：
一种提高离子注入机使用周期的锗注入方法，其特征在于，包括：步骤S01：将晶圆放入离子注入腔室，对所述腔室抽真空；步骤S02：向所述离子注入腔室内通入GeF4和SiH4气体；步骤S03：所述腔室内的电子束激发所述GeF4和SiH4气体发生分解，分解的Si+、游离的F和游离的H被排出所述腔室；步骤S04：所述腔室内分解的Ge+注入到所述晶圆内；其中，所述游离的F和游离的H反应生成HF气体，被抽出所述腔室；所述腔室内分解的Si+和Ge+进入所述腔室内的引出极的磁场，经加速后，所述Si+不能够通过所述磁场而被排除，所述Ge+经所述磁场发生偏转后注入所述晶圆内。
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