[发明专利]透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板有效

专利信息
申请号: 201310255891.0 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN103366867A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 拝师基希;梨木智刚;野口知功;浅原嘉文 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/08;H01B13/00;G06F3/041
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供透明导电性膜、其制造方法及具备其的触摸面板。所述透明导电性膜在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体。所述透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜,在所述层叠体的表面侧具有氧化铟或4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的铟系复合氧化物的第一透明导电性薄膜(21),从所述层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有所述4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜(21)大的铟系复合氧化物的第二透明导电性薄膜(22),且所述层叠体整体的厚度为35nm以下。
搜索关键词: 透明 导电性 制造 方法 具备 触摸 面板
【主权项】:
一种透明导电性膜,其特征在于,其为在透明的膜基材的至少一面具有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体的透明导电性膜,所述透明导电性薄膜层叠体的透明导电性薄膜均为氧化铟或含有4价金属元素的氧化物的铟系复合氧化物的结晶质膜,在所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧具有氧化铟或以{4价金属元素的氧化物/(4价金属元素的氧化物+氧化铟)}×100(%)表示的4价金属元素的氧化物的比例超过0且为6重量%以下的铟系复合氧化物的第一透明导电性薄膜,从所述透明导电性薄膜层叠体的表面侧开始继第一透明导电性薄膜之后具有所述4价金属元素的氧化物的比例比所述第一透明导电性薄膜大的铟系复合氧化物的第二透明导电性薄膜,且所述透明导电性薄膜层叠体整体的厚度为35nm以下。
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