[发明专利]半导体开关在审
申请号: | 201310253316.7 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN104242881A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 王柏之 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/08 | 分类号: | H03K17/08;H03K17/687 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张然;李昕巍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体开关,包含一开关单元,其包含:一晶体管,具有一漏极、一栅极以及一源极;一漏极偏压电阻,耦接漏极;一漏极偏压选择电路,于晶体管导通时耦接漏极偏压电阻与一第一漏极偏压,于晶体管不导通时耦接漏极偏压电阻与一第二漏极偏压;一栅极偏压电阻,耦接栅极;一栅极偏压选择电路,于晶体管导通时耦接栅极偏压电阻与一第一栅极偏压,于晶体管不导通时耦接栅极偏压电阻与一第二栅极偏压;一源极偏压电阻,耦接源极;以及一源极偏压选择电路,于晶体管导通时耦接源极偏压电阻与一第一源极偏压,于晶体管不导通时耦接源极偏压电阻与一第二源极偏压,其中第一与第二漏极偏压不同,第一与第二栅极偏压不同,第一与第二源极偏压不同。 | ||
搜索关键词: | 半导体 开关 | ||
【主权项】:
一种半导体开关,应用于一电子元件,包含一开关单元,该开关单元包含:一晶体管,具有一漏极、一栅极以及一源极;一漏极偏压电阻,耦接该漏极;一漏极偏压选择电路,用来于该晶体管导通时耦接该漏极偏压电阻与一第一漏极偏压,并用来于该晶体管不导通时耦接该漏极偏压电阻与一第二漏极偏压;一栅极偏压电阻,耦接该栅极;一栅极偏压选择电路,用来于该晶体管导通时耦接该栅极偏压电阻与一第一栅极偏压,并用来于该晶体管不导通时耦接该栅极偏压电阻与一第二栅极偏压;一源极偏压电阻,耦接该源极;以及一源极偏压选择电路,用来于该晶体管导通时耦接该源极偏压电阻与一第一源极偏压,并用来于该晶体管不导通时耦接该源极偏压电阻与一第二源极偏压,其中该第一与第二漏极偏压不同,该第一与第二栅极偏压不同,该第一与第二源极偏压不同。
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