[发明专利]确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法

摘要

确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法，属于光谱技术领域，解决了现有技术确定单晶硅湿法刻蚀刻蚀截止点重复性差、精度低的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)构建一套包括单晶硅湿法刻蚀反应以及检测痕量氢气的装置；(2)在反应未开始时通过机械泵对装置抽真空，通过真空规及真空计测量氢气输送管内的真空度；(3)真空度达到10Pa以下时开始反应，通过机械泵将反应生成的氢气抽至痕量氢气检测装置，得到痕量氢气检测装置中氢气总量的原子吸收光谱峰值随反应时间的关系曲线；(4)当关系曲线的变化趋缓时任意时刻停止反应过程，此时即为刻蚀截止点。本发明能够精确确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅的刻蚀截止点。

主权项

确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、配置一套单晶硅湿法刻蚀反应装置：氢气输送管(11)的两端分别连接痕量氢气检测装置(10)和冷凝管(5)的一端，冷凝管(5)的另一端连接反应容器(3)，氢气输送管(11)上依次设有真空规及真空计(6)、机械泵(7)、第一电磁阀(8)和第二电磁阀(9)，吊篮(4)悬于反应容器(3)内，反应容器(3)内装有刻蚀液(1)，吊篮(4)内装有带有掩模层的单晶硅(2)，所述的带有掩模层的单晶硅(2)悬于刻蚀液(1)液面之上，所述的吊篮(4)为耐碱腐蚀材料制作的容器；步骤二、关闭第二电磁阀(9)，开启第一电磁阀(8)，通过机械泵(7)对反应容器(3)抽真空，通过真空规及真空计(6)测量并读取氢气输送管(11)内的真空度；步骤三、当氢气输送管(11)内的真空度达到10Pa以下，开启第二电磁阀(9)，关闭第一电磁阀(8)，通过吊篮(4)将带有掩模层的单晶硅置于刻蚀液(1)之中，开始反应，同时通过机械泵(7)将反应生成的氢气抽至痕量氢气检测装置(10)中，得到痕量氢气检测装置(10)中氢气总量的原子吸收光谱峰值与反应时间的关系曲线；步骤四、当氢气总量的原子吸收光谱峰值与反应时间的关系曲线变化趋缓时任意时刻停止反应过程，此时即为刻蚀截止点。