[发明专利]用于制造二极管的方法和二极管在审
| 申请号： | 201310245714.4 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103515225A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | R.施皮茨;A.格拉赫;R.科尔布 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁永凡;刘春元 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明基于用于制造二极管的方法和根据该方法制造的二极管。由半导体晶片产生PN结或NP结，其平面地在半导体晶片10的上侧3上延伸。以垂直于半导体晶片10的上侧3的方式形成分开边沿6，分开边沿延伸超过PN结或NP结。半导体晶片10的分开通过从干扰11出发借助局部加热11和局部冷却13半导体晶片13进行由干扰11引起的裂纹扩散的方式来进行。这样形成的分离裂纹优选沿着半导体晶体的晶体平面进行，由此不通过在PN结或NP结的区域中构建干扰位置来实现。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造二极管1的方法，其中在半导体晶片10中产生PN结或NP结，其中PN结或NP结平面地在半导体晶片10的上侧3上延伸，其中在后续步骤中半导体晶片10通过分开而分开成单个二极管芯片1，其中进行所述分开使得：以垂直于半导体晶片10的上侧3的方式形成分开边沿6，分开边沿6延伸超过在PN结或NP结上， 其特征在于，为了分开，将干扰11引入半导体晶片10中，半导体晶片从干扰11出发对半导体晶片10进行局部加热12和冷却13并且这样通过局部加热12和冷却13来进行由于机械应力造成的干扰11所引起的裂纹扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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