[发明专利]电容结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310207773.2 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103296003A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 许丹 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电容结构及其形成方法，所述电容结构包括至少一个第一导电层、覆盖所述第一导电层表面的介电层和位于所述介电层表面的至少两个分立的第二导电层，所述第二导电层在第一导电层平面上的投影位于第一导电层内，且两个分立的第二导电层对应一个第一导电层，使得第二导电层和对应的第一导电层之间的电容形成电容串联结构，位于所述电容串联结构两端的两个第二导电层作为电容结构的两个电极。由于所述电容结构至少包括两个电容串联，在相同的芯片厚度的情况下可以成倍增加电容结构两个电极之间的介电材料的总厚度，既不会影响所述芯片结构的散热特性，又有利于提高电容结构的耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电容结构，其特征在于，包括：基底，位于所述基底表面的绝缘层，位于所述绝缘层表面的至少一个第一导电层，覆盖所述第一导电层和绝缘层表面的介电层，位于所述介电层表面的至少两个分立的第二导电层，所述第二导电层在第一导电层平面上的投影位于第一导电层内，且两个分立的第二导电层对应一个第一导电层，使得第二导电层和对应的第一导电层之间的电容形成电容串联结构，位于所述电容串联结构两端的两个第二导电层作为电容结构的两个电极。
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