[发明专利]ReRAM单元中的场聚集特征部有效
| 申请号： | 201310205005.3 | 申请日： | 2013-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN103456883B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | F·K·小贝克尔;周锋;张克民;洪全敏 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及ReRAM单元中的场聚集特征部。电阻式随机存取存储器（ReRAM）单元（401）包括第一导电电极（107）和在所述第一导电电极之上的电介质存储材料层。所述电介质存储材料层（109）在将细丝形成电压施加到所述单元期间有助于导电细丝的形成。所述单元包括在所述电介质存储材料层之上的第二导电电极（301）以及包括不通过光刻限定的多个散置的场聚集特征部（407）的界面区域。所述界面区域位于所述第一导电电极和所述电介质存储材料层之间或位于所述电介质存储材料层和所述第二导电电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | reram 单元 中的 聚集 特征 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器ReRAM单元，包括：第一导电电极；在所述第一导电电极之上的电介质存储材料层，所述电介质存储材料层在将细丝形成电压施加到所述ReRAM单元期间有助于导电细丝的形成；在所述电介质存储材料层之上的第二导电电极；以及包括多个不通过光刻限定的散置的场聚集特征部的界面区域，所述界面区域位于所述电介质存储材料层和所述第二导电电极之间，并且其中所述界面区域位于所述电介质存储材料层之上，其中所述多个散置的场聚集特征部中的每一个包括纳米团簇，所述纳米团簇下方的电介质层包括多个开口，其中所述第二导电电极延伸至所述电介质层的所述多个开口中。
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