[发明专利]一种无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 201310204886.7 | 申请日： | 2013-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103346221A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;刘博智;胡炼;蔡春锋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/28 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 唐银益 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种利用无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管（QD-LEDs）器件。本发明是一种利用无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管器件，器件包括：电子注入层，空穴注入层，无机电子传输层，有机空穴传输层以及量子点有源发光层，所述的器件是从下往上依次为空穴注入层、有机空穴传输层、量子点有源发光层、无机电子传输层、电子注入层的结构。本发明克服了利用纯有机半导体材料作为传输层的量子点发光二极管不足，充分利用无机金属氧化物的稳定性及电学参数容易调控的特点，改进了量子点发光二极管的能效和性能，本发明的量子点电致发光器件能够实现与TFT结合，实现基于量子点的有源矩阵发光二极管平板（AMQLED）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 金属 氧化物 作为 电子 传输 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种利用无机金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管器件，其特征在于，所述的器件包括：电子注入层，空穴注入层，无机电子传输层，有机空穴传输层以及量子点有源发光层，所述的器件是从下往上依次为空穴注入层、有机空穴传输层、量子点有源发光层、无机电子传输层、电子注入层的结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310204886.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
