[发明专利]基于激光干涉纳米光刻在硅片上制备超疏水表面的方法

摘要

本发明公开了一种基于激光干涉纳米光刻在硅片上制备超疏水表面的方法，本发明包括如下步骤，(1)利用Matlab模拟四光束干涉图形，设定参数模拟出理想点阵模型。根据模拟参数来搭建激光干涉光学系统。由激光器发出的一束激光，经过分光系统分为四束光，入射角θ₁＝θ₂＝θ₃＝θ₄＝15°，相位角偏振角Ψ₁＝Ψ₂＝Ψ₃＝Ψ₄＝90°，四束光光强能量密度比为1∶1∶1∶1，四束光在硅片上干涉刻蚀出点阵结构。(2)处理刻蚀后的硅片利用超声振动去除表面粉尘污染物。(3)利用HF处理刻蚀的硅片，去除SiO₂，得到接触角高达150°的微纳表面结构。

主权项

基于激光干涉纳米光刻在硅片上制备超疏水表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)利用Matlab模拟四光束干涉图形，设定参数模拟出理想点阵模型，根据模拟参数来搭建激光干涉光学系统，由激光器发出的一束激光，激光器波长为1064nm，频率为10Hz，脉冲持续时间为7ns，经过分光镜，高反镜，半波片和偏振片分为四束光，入射角θ₁＝θ₂＝θ₃＝θ₄＝15°，相位角偏振角ψ₁＝ψ₂＝ψ₃＝ψ₄＝90°，半波片和偏振片控制干涉光束的光强能量密度，使四束光光强能量密度比为1∶1∶1∶1，光强能量密度为0.64Jcm^‑2，四束光在硅片上干涉，刻蚀时间为60s，刻蚀出点阵结构；2)处理刻蚀后的硅片，去除表面粉尘污染物；3)利用氢氟酸处理刻蚀硅片，氢氟酸浓度为5％，清洗时间为3‑5分钟，去除SiO₂，得到接触角高达150°的表面结构。