[发明专利]一种铝焊垫的制造方法有效
| 申请号： | 201310202984.7 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103295917A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张亮;周军;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的铝焊垫的制造方法，包括：在含有金属互连线的半导体衬底上依次沉积刻蚀阻挡层和钝化保护层；经光刻和刻蚀，在钝化保护层和刻蚀阻挡层中形成沟槽，暴露出半导体衬底上的互连金属；在沟槽内部和沟槽外的钝化保护层的表面沉积铝金属，形成含有凹陷和凸起的铝层，铝层的底部与互连金属相接触；采用脉冲激光轰击法刻蚀铝层，修正铝层的形貌；在铝层上沉积金属铝，形成平整的铝层；经光刻和刻蚀，形成铝焊垫。本发明可以消除凸起，减小凹陷的深度，使铝焊垫更加致密，达到对铝焊垫的修正目的，形成平整的铝焊垫层，避免刻蚀反应副产物的残留，减小对铝焊垫的腐蚀几率，提高铝焊垫的质量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铝焊垫 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种铝焊垫的制造方法，其特征在于，包括：步骤S01：在含有金属互连线的半导体衬底上依次沉积刻蚀阻挡层和钝化保护层；步骤S02：经光刻和刻蚀，在所述钝化保护层和所述刻蚀阻挡层中形成沟槽，暴露出所述半导体衬底上的互连金属；步骤S03：在所述沟槽内部和所述沟槽外的所述钝化保护层的表面沉积铝金属，形成含有凹陷和凸起的铝层，所述铝层的底部与所述互连金属相接触；步骤S04：采用脉冲激光轰击法刻蚀所述铝层，修正所述铝层的形貌；步骤S05：在所述铝层上沉积金属铝，形成平整的铝层；步骤S06：经光刻和刻蚀，形成铝焊垫。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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