[发明专利]冷却器及其制造方法以及半导体模块及其制造方法有效
| 申请号： | 201310168985.4 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103390562B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 大泷笃史;大山茂 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 陈伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种冷却器(1)的制造方法，该制造方法具有层压材料制造工序(S1)和硬钎焊接合工序(S4)。在层压材料制造工序(S1)中，制造使Ni层(3)、Ti层(5)和Al层(6)接合一体化为层压状的层压材料(2)，所述Ni层具有用于使被冷却体(16)通过软钎焊而接合的上表面(3a)且由Ni或Ni合金形成，所述Ti层配置在Ni层(3)的下表面侧且由Ti或Ti合金形成，所述Al层配置在Ti层(5)的下表面侧且由Al或Al合金形成。在硬钎焊接合工序(S4)中，将层压材料(2)的Al层(6)的下表面与冷却器主体(10)的冷却面(10a)通过硬钎焊而接合。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种冷却器的制造方法，其特征在于，具有：层压材料制造工序，制造使Ni层、Ti层和Al层接合一体化为层压状的层压材料，所述Ni层具有用于使被冷却体通过软钎焊而接合的上表面且由Ni或Ni合金形成，所述Ti层配置在所述Ni层的下表面侧且由Ti或Ti合金形成，所述Al层配置在所述Ti层的下表面侧且由Al或Al合金形成；和硬钎焊接合工序，将所述层压材料的所述Al层的下表面与冷却器主体的冷却面通过硬钎焊而接合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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