[发明专利]制造太阳能电池及其掺杂层的方法有效
| 申请号： | 201310168313.3 | 申请日： | 2013-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN103515477A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑珠华;珍龙德;梁荣成;河万孝 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造太阳能电池及其掺杂层的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的掺杂层的方法包括：向基板离子注入掺杂物；以及进行热处理以活化掺杂物。在用于活化的热处理中，在第一气体气氛下以低于第一温度的温度形成抗外扩散膜之后以第一温度对基板进行热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 太阳能电池 及其 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造太阳能电池的掺杂层的方法，所述方法包括：向基板离子注入掺杂物；以及进行热处理以活化掺杂物，其中，在用于活化的热处理中，在第一气体气氛下以低于第一温度的温度形成抗外扩散膜之后以所述第一温度对所述基板进行热处理。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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