[发明专利]一种电子器件的真空镀膜工艺在审
| 申请号： | 201310165544.9 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN103305795A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 狄国庆;邓波 | 申请（专利权）人： | 苏州奕光薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子器件的真空镀膜工艺：将清洁的基体放入真空容器中、抽真空到10-4Pa、通入高纯氩气至0.5Pa；采用线形离子源照射，离子源电压1500V，偏压600V，时间5分钟；通过直流溅射纯铝：直流溅射电压400V，电流15A，偏压600V，时间2分钟；采用线形离子源照射，离子源电压750V，偏压600V，时间2分钟；采用直流溅射铝铜比为1∶1的合金：电压400V，电流18A，时间3分钟；直流溅射纯铜：电压400V，电流25A，时间24分钟；直流溅射纯银：电压350V，电流20A，时间8分钟；直流溅射铜钼比为4∶1的合金：电压300V，电流10A，时间1分钟。本工艺污染小，镀膜后镀层和基体结合力高、耐腐蚀力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子器件 真空镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
一种电子器件的真空镀膜工艺，包含以下步骤：(1)将清洁的基体放入真空容器中、抽真空到10‑4Pa、通入高纯氩气至0.5Pa；(2)线形离子源照射，离子源电压1500V，偏压600V，时间5分钟；(3)直流溅射纯铝：直流溅射电压400V，电流15A，偏压600V，时间2分钟；(4)线形离子源照射，离子源电压750V，偏压600V，时间2分钟；(5)直流溅射铝铜合金：电压400V，电流18A，时间3分钟；(6)直流溅射纯铜：电压400V，电流25A，时间24分钟；(7)直流溅射纯银：电压350V，电流20A，时间8分钟；(8)直流溅射铜钼合金：电压300V，电流10A，时间1分钟。
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