[发明专利]快速节能单晶硅拉制停炉工艺有效
| 申请号： | 201310163821.2 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103266348A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 高阳;徐国军;何俊;于银 | 申请（专利权）人： | 江苏海翔化工有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶硅制备技术领域，尤其涉及一种快速节能单晶硅拉制停炉工艺，包括以下步骤：1）控制坩埚停止上升，将籽晶轴转速降低至1～3RPM，将坩埚轴转速降低至1～3RPM，将籽晶上升速度保持在1～3mm/min，控制加热系统的加热功率逐渐降低至零，2）等待15～18分钟，炉内熔体硅结晶后关闭真空球阀，充入氩气3～4分钟，当炉压升至375～385托时停止充入氩气，关停真空泵，关闭所有电控设备，3）等待42～45分钟，排出步骤2）中充入的氩气，再次充入氩气3～4分钟，当炉压升至675～685托时停止充入氩气，等待180～210分钟，待单晶硅冷却后拆炉将其取出，这种快速节能单晶硅拉制停炉工艺耗时短，消耗的高纯氩气较少，电能消耗也较少，节能降耗，降低了生产成本，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 节能 单晶硅 拉制 工艺 | ||
【主权项】：
一种快速节能单晶硅拉制停炉工艺，其特征在于，包括以下步骤：1）控制坩埚停止上升，将籽晶轴转速降低至1～3RPM，将坩埚轴转速降低至1～3RPM，将籽晶上升速度保持在1～3mm/min，控制加热系统的加热功率逐渐降低至零；2）等待15～18分钟，炉内熔体硅结晶后关闭真空球阀，充入氩气3～4分钟，当炉压升至375～385托时停止充入氩气，关停真空泵，关闭所有电控设备；3）等待42～45分钟，排出步骤2）中充入的氩气，再次充入氩气3～4分钟，当炉压升至675～685托时停止充入氩气，等待180～210分钟，待单晶硅冷却后拆炉将其取出。
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