[发明专利]双向静电放电(ESD)保护器件

摘要

本发明涉及一种双向静电放电(ESD)保护器件，其包括具有顶部半导体表面的衬底，所述顶部半导体表面包括形成于其中的第一可控硅整流器(SCR)和第二SCR，所述SCR包括图案化的p掩埋层(PBL)，所述PBL包括多个PBL区域。所述第一SCR包括第一和第二n沟道远端漏极MOS器件，每个MOS器件具有栅极和在p‑本体内的源极并且共享第一合并漏极。所述第二SCR包括第三和第四n沟道远端漏极MOS器件，每个MOS器件具有栅极和在p‑本体内的源极并且共享第二合并漏极。所述多个PBL区域只在所述源极的至少一部分下面，而排除在任一合并漏极下面。

主权项

一种双向ESD保护器件，其包括：具有顶部半导体表面的衬底，所述顶部半导体表面包括形成于其中的第一可控硅整流器即第一SCR和第二可控硅整流器即第二SCR，所述第一SCR和所述第二SCR包括图案化的p掩埋层即PBL，所述PBL包括多个PBL区域；所述第一SCR包括第一n沟道远端漏极MOS器件和第二n沟道远端漏极MOS器件，所述第一n沟道远端漏极MOS器件和所述第二n沟道远端漏极MOS器件中的每个具有栅极和在p‑本体内的源极并且共享第一合并漏极；以及所述第二SCR包括第三n沟道远端漏极MOS器件和第四n沟道远端漏极MOS器件，所述第三n沟道远端漏极MOS器件和所述第四n沟道远端漏极MOS器件中的每个具有栅极和在p‑本体内的源极并且共享第二合并漏极；其中所述多个PBL区域只在所述源极的至少一部分下面，而排除在所述第一合并漏极和所述第二合并漏极下面。