[发明专利]提离方法有效
| 申请号： | 201310145344.7 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103378232B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 森数洋司;饭塚健太吕 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 党晓林,王小东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提离方法，其能够可靠地剥离外延基板。提供一种将光器件晶片的光器件层转移到移设基板的提离方法，其包括移设基板接合工序，将移设基板接合到光器件晶片的光器件层的表面；气体层形成工序，从光器件晶片的外延基板的背面侧向缓冲层照射脉冲激光光线，在外延基板和缓冲层的分界面形成气体层；气体层检测工序，检测出所形成的气体层中的、位于最外侧的气体层的区域；外延基板吸附工序，将吸引垫定位到外延基板中的通过所述气体层检测工序检测出的最外侧的气体层所在的区域，来吸附外延基板；以及光器件层移设工序，向从外延基板背离的方向移动吸附了外延基板的所述吸引垫来剥离外延基板，将光器件层移设到移设基板。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
一种提离方法，是将光器件晶片的光器件层转移到移设基板的提离方法，该光器件晶片中，光器件层经过由含镓的镓化合物构成的缓冲层而层叠在外延基板的表面，该提离方法的特征在于，包括以下工序：移设基板接合工序，经接合金属层将移设基板接合到光器件晶片的光器件层的表面；气体层形成工序，从接合有移设基板的光器件晶片的外延基板的背面侧向缓冲层照射脉冲激光光线，在外延基板与缓冲层的分界面形成气体层，其中该脉冲激光光线是相对于外延基板具有透射性且相对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线；气体层检测工序，检测出通过所述气体层形成工序而形成于外延基板与缓冲层的分界面的气体层中的、位于最外侧的气体层的区域；外延基板吸附工序，将吸引垫定位到外延基板中的通过所述气体层检测工序检测出的最外侧的气体层所在的区域，来吸附外延基板；以及光器件层移设工序，向从外延基板背离的方向移动吸附了外延基板的所述吸引垫来剥离外延基板，将光器件层移设到移设基板。
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