[发明专利]提离方法

说明书

技术领域

本发明涉及将光器件晶片的光器件层转移到移设基板的提离方法，该光器件晶片中，经缓冲层在蓝宝石基板或碳化硅等外延（epitaxy）基板的表面层叠有光器件层。

背景技术

在光器件制造工序中，经缓冲层在为大致圆板形状的蓝宝石基板或碳化硅等外延基板的表面层叠有由n型半导体层以及p型半导体层构成的光器件层，在通过形成为格子状的多个间隔道而划分出的多个区域中形成发光二极管、激光二极管等光器件来构成光器件晶片，其中n型半导体层和p型半导体层是由GaN（氮化镓）或INGaP（磷化镓铟）或ALGaN（铝氮化镓）构成。并且，通过沿着间隔道分割光器件晶片来制造出一个个光器件。（例如，参照专利文献1）。

另外，作为提升光器件亮度的技术，在下述专利文献2中公开了下述的称为提离的制造方法：将移设基板经AuSu（金锡）等接合金属层接合在光器件层，所述光器件层经缓冲层层叠在构成光器件晶片的蓝宝石基板或碳化硅等外延基板的表面，并由n型半导体层和p型半导体层构成，从外延基板的背面侧透过外延基板照射由缓冲层吸收的波长（例如248nm）的激光光线来破坏缓冲层，通过从光器件层剥离外延基板，将光器件层转移到移设基板。

现有技术文献

专利文献1：日本特开平10-305420号公报

专利文献2：日本特开2004-72052号公报

发明内容

然而，当从外延基板的背面侧将聚光点定位到缓冲层来照射激光光线时，存在如下问题：由于构成缓冲层的GaN或INGaP或ALGaN分解为Ga和N₂等气体，缓冲层被破坏，但是存在GaN或INGaP或ALGaN分解为Ga和N₂等气体的区域、和不分解的区域，缓冲层的破坏产生不均匀，所以无法适当地剥离外延基板。

另外，在为了提升光器件的品质而在外延基板的表面形成有凹凸的情况下，存在这样的问题：凹凸的壁阻断了激光光线而抑制缓冲层的破坏，因而很难剥离外延基板。

本发明是鉴于上述事实而完成的发明，其主要技术课题是提供能够可靠地剥离外延基板的提离方法。

为了解决上述主要的技术课题，本发明提供了一种提离方法，是将光器件晶片的光器件层转移到移设基板的提离方法，该光器件晶片中，光器件层经过由含镓的镓化合物构成的缓冲层而层叠在外延基板的表面，

该提离方法的特征在于，包括以下工序：

移设基板接合工序，经接合金属层将移设基板接合到光器件晶片的光器件层的表面；

气体层形成工序，从接合有移设基板的光器件晶片的外延基板的背面侧向缓冲层照射脉冲激光光线，在外延基板与缓冲层的分界面形成气体层，其中该脉冲激光光线是相对于外延基板具有透射性且相对于缓冲层具有吸收性的波长的脉冲激光光线；

气体层检测工序，检测出通过所述气体层形成工序而形成于外延基板与缓冲层的分界面的气体层中的、位于最外侧的气体层的区域；

外延基板吸附工序，将吸引垫定位到外延基板中的通过所述气体层检测工序检测出的最外侧的气体层所在的区域，来吸附外延基板；以及

光器件层移设工序，向从外延基板背离的方向移动吸附了外延基板的所述吸引垫来剥离外延基板，将光器件层移设到移设基板。

基于本发明的提离方法包括上述移设基板接合工序、气体层形成工序、气体层检测工序、外延基板吸附工序、以及光器件层移设工序，在光器件层移设工序中，由于通过吸引垫来吸附形成在外延基板和缓冲层的分界面的、位于最外侧气体层的区域，并向与外延基板背离的方向移动，从而剥离外延基板，所以从位于最容易剥离的最外侧的气体层的区域进行剥离，外延基板整体被顺利地剥离。

附图说明

图1是光器件晶片的立体图和主要部分放大剖视图，在该光器件晶片形成有通过本发明的提离方法转移到移设基板的光器件层。

图2是将移设基板接合到图1所示的光器件晶片的光器件层的表面的移设基板接合工序的说明图。

图3是用于实施本发明的提离方法中的缓冲层破坏工序的激光加工装置的立体图。

图4是表示本发明的提离方法的缓冲层破坏工序中的Ga（镓）层形成工序的说明图。

图5是放大地表示实施了图4所示的Ga层形成工序的光器件晶片的主要部分的剖视图。

图6是本发明的提离方法中的气体层检测工序的说明图。

图7是表示将选定为位于最外侧的气体层的气体层的区域定位到拍摄构件的正下方的状态的说明图。