[发明专利]以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法无效
| 申请号： | 201310143414.5 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378229A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 李崇民;李恩加 | 申请（专利权）人： | 奈米晶光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台北市松山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法，包括有下列步骤：提供蓝宝石基板，形成氮化镓基层，涂布光刻胶层，进行压印及曝光显影，进行填胶以及进行烧结。本发明的制造方法可以在大气环境中制造，无须抽真空，快速简便又成本低廉。以本发明的方法所制造的选择性成长遮罩，可使纳米柱的成长更容易成为柱状体，且与蓝宝石基板及氮化镓基层相垂直，每一纳米柱彼此间更相互平行。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 方式 制造 选择性 成长 方法 | ||
【主权项】：
一种以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法，其特征在于包括下列步骤：提供蓝宝石基板，该蓝宝石基板是做为后续薄膜成长的基底；形成氮化镓基层，其是在该蓝宝石基板上成长该氮化镓基层；涂布光刻胶层，其是在该氮化镓基层上涂布一层光刻胶材料；进行压印及曝光显影，是对该光刻胶层进行压印及曝光显影，使得多个孔洞图案转印至该光刻胶层表面，并形成突状挡墙；进行填胶，其是以绝缘性材料填入上述孔洞图案之外的空隙；以及进行烧结，其是以加热去除上述孔洞图案上的光刻胶剂，并使该空隙的绝缘性材料形成选择性成长遮罩。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奈米晶光电股份有限公司，未经奈米晶光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310143414.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管封装件
- 下一篇：太阳能电池模块和用于生成光伏电力的设备
