[发明专利]用于薄膜转移的方法有效
| 申请号： | 201310142834.1 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104112694B | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 高地 | 申请（专利权）人： | 高地 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 110003 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于薄膜转移的方法，可以有效的将薄膜从一个衬底分离并转移到另外一个衬底上，同时减少或者避免对薄膜可能产生的损伤。本发明针对薄膜转移工艺中经常出现的键合面缺陷、以及由键合面缺陷导致的转移层缺陷问题，采用了在键合片裂片过程之前对键合片施加压力、以及一个任选的在加压的条件下对键合片进行热处理的工艺来提高键合强度，减少或消除键合面缺陷。本发明适用于半导体行业及其它行业中薄膜转移工艺，主要应用于绝缘层上硅(silicon on insulator,SOI)晶圆的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 转移 方法 | ||
【主权项】：
一种用于薄膜转移的方法，包括：a)向用于提供薄膜的由半导体材料构成的第一衬底注入粒子从而在衬底表面下方形成粒子富集层的步骤；b)将已注入粒子的第一衬底与用于接受薄膜的第二衬底键合在一起，形成键合片的步骤，其中第一衬底与第二衬底的键合通过氢键形成来实现；c)对键合片施加压力和在加压的条件下对键合片进行热处理的步骤，其中施加在键合片上的压强在1.1个大气压到500个大气压之间，并且对键合片施加压力是通过对键合片周围的气体加压来实现的；d)通过减压操作来引发第一衬底的粒子富集层至第一衬底表面之间的薄层从第一衬底裂开而转移至第二衬底的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高地，未经高地许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310142834.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
