[发明专利]一种二次电子发射薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种二次电子发射薄膜的制备方法，具体为一种以不锈钢为基片采用磁控溅射技术沉积二次电子发射薄膜的制备方法，属于功能薄膜制备领域。所述方法包括清洁真空室、清洗基底、装基片、真空室抽真空、等离子体清洗靶材和二次电子发射薄膜沉积六个步骤，采用磁控溅射技术，以氩气作为工作气体、溅射靶材为陶瓷氧化镁、金属钛、金属银，在不锈钢基片上实现了对二次电子发射薄膜的沉积。所述方法制备的二次电子发射薄膜具有良好的二次电子发射性能及抗溅射性能。

主权项

一种二次电子发射薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：（1）清洁真空室：开真空室，将保护靶材不受污染的铝膜放置到靶材正上方，并对真空室进行清洁；所述靶材有三种，分别为金属钛靶、金属银靶、陶瓷氧化镁靶；所述靶材的纯度为99.99%以上；（2）清洗基片；所述基片为不锈钢基片；（3）装基片：将步骤（2）清洗后的不锈钢基片放入真空室的基片架上，并去除用于保护靶材不受污染的铝膜；（4）真空室抽真空：打开机械泵预抽，真空度抽至1Pa，然后开分子泵，待分子泵运转平稳后开启分子泵的高阀，抽真空至3.0×10‑5Pa，然后加热不锈钢基片至所需温度后保温；（5）等离子体清洗靶材：向真空室通入Ar气，并控制流量使真空室压强为0.3Pa，待Ar气流量稳定，此时Ar气流量为21.7～22.5sccm，开启偏压电源，将电源功率调整为150W，辉光放电产生等离子体，对不锈钢基片进行表面清洗，清洗10～30min后关闭偏压电源；在分别对金属钛靶、金属银靶、陶瓷氧化镁靶预溅射10分钟清洗靶材，溅射功率为200W；（6）二次电子发射薄膜沉积：步骤（5）靶材清洗结束后，先开启金属钛靶挡板，沉积钛薄膜，沉积功率为100～400W，沉积时间为5～9min；关闭金属钛靶挡板，再开启金属银靶挡板，沉积银薄膜，沉积功率为100～400W，沉积时间为25～45min；关闭金属银靶挡板，开启陶瓷氧化镁靶挡板，沉积氧化镁薄膜，沉积功率为200～500W，沉积时间为30～90min，关闭陶瓷氧化镁挡板，关闭气源，结束样品镀制，即得到本发明所述的二次电子发射薄膜。