[发明专利]形成图案化结构层的方法无效
| 申请号： | 201310101427.6 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103311460A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 翁照钦;陈英杰;萧智鸿;朱妙采 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成图案化结构层的方法，包括下列步骤。提供一基板。于基板的一表面上形成一牺牲层。对牺牲层进行一局部加热工艺，使被局部加热的牺牲层升华而脱离基板的表面，以于牺牲层中形成一开口部分暴露出基板的表面。于牺牲层的一表面及开口所暴露出的基板的表面上形成一结构层。对牺牲层进行一全面加热工艺，使牺牲层升华而脱离基板的表面，并使位于牺牲层的表面上的结构层一并脱离，而形成一图案化结构层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图案 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成图案化结构层的方法，其特征在于，包括：提供一基板；于该基板的一表面上形成一牺牲层；对该牺牲层进行一局部加热工艺，使被局部加热的该牺牲层升华而脱离该基板的该表面，以于该牺牲层中形成一开口部分暴露出该基板的该表面；于该牺牲层的一表面及该开口所暴露出的该基板的该表面上形成一结构层；以及对该牺牲层进行一全面加热工艺，使该牺牲层升华而脱离该基板的该表面，并使位于该牺牲层的该表面上的该结构层一并脱离，而形成一图案化结构层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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