[发明专利]一种发光二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201310096016.2 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN104064633A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朱广敏;郝茂盛;齐胜利 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的制造方法，包括：1）于半导体衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）形成N电极制备区域；3）于所述P型层表面制作具有沉积窗口的光刻胶，并于所述光刻胶表面及沉积窗口形成高反射金属层；4）采用剥离工艺去除所述光刻胶及高反射金属层，形成金属反射镜；5）形成透明导电层；6）于所述金属反射镜垂向对应的透明导电层表面制备P电极，并于所述N电极制备区域表面制备N电极。本发明通过于P电极下方增加一金属反射镜，可以有效减少P电极对光线的吸收，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）采用光刻工艺形成N电极制备区域；3）于所述P型层表面制作具有沉积窗口的光刻胶，并于所述光刻胶表面及沉积窗口对应的P型层表面形成高反射金属层；4）采用剥离工艺去除所述光刻胶及光刻胶表面的高反射金属层，于所述P型层表面形成金属反射镜；5）于所述金属反射镜及P型层表面形成透明导电层；6）于所述金属反射镜垂向对应的透明导电层表面制备P电极，并于所述N电极制备区域表面制备N电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海蓝光科技有限公司，未经上海蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310096016.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
