[发明专利]一种晶体硅太阳能电池石蜡掩膜处理方法无效
申请号: | 201310092347.9 | 申请日: | 2013-03-22 |
公开(公告)号: | CN103208560A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 江苏荣马新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
地址: | 223700 江苏省宿*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池掩膜处理方法,属于晶体硅太阳能电池技术领域。通过改变石蜡打印机的分辨率以及刻蚀机的带速来降低石蜡的消耗量,分辨率越低消耗的石蜡越少,同时能够保证对电池的外观和电性能没有影响。本发明不仅能够保证电池外观,且能够保证电性能稳定,同时其价格低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 石蜡 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳能电池石蜡掩膜处理方法,包括石蜡打印机和刻蚀机,其特征包括以下步骤:第一步,待处理的晶体硅太阳能电池的图形输入到打印机里;将固体石蜡放在石蜡溶液罐,高温加热后变成液体然后输送到石蜡打印机的打印头;将待处理的晶体硅太阳能电池置于石蜡打印机的打印台内,将石蜡打印机的Y轴分辨率设定为300dpi‑900dpi;将刻蚀机的带速设定为1.4m/min‑1.6 m/min;第二步,通过石蜡打印机将图形打印到待处理的晶体硅太阳能电池的硅片表面形成掩膜;第三步,通过刻蚀机将已完成图形打印的硅片进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的