[发明专利]可变电阻存储器件有效
申请号: | 201310089478.1 | 申请日: | 2013-03-20 |
公开(公告)号: | CN103367387B | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 李承桓 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;石卓琼 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种可变电阻存储器件,所述可变电阻存储器件包括:第一电极对和插入在第一电极对之间的第二电极;第一可变电阻材料层,所述第一可变电阻材料层插入在第一电极中的一个第一电极与第二电极之间;以及第二可变电阻材料层,所述第二可变电阻材料层插入在第一电极中的另一个第一电极与第二电极之间,其中,第一电极对彼此电连接,并且第一可变电阻材料层的第一设定电压和第一复位电压分别与第二可变电阻材料层的第二设定电压和第二复位电压不同。 | ||
搜索关键词: | 可变 电阻 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种可变电阻存储器件,包括:成对的第一电极和插入在所述成对的第一电极之间的第二电极;第一可变电阻材料层,所述第一可变电阻材料层插入在所述第一电极中的一个第一电极与所述第二电极之间,其中所述第一可变电阻材料层直接耦接至所述第二电极和所述第一电极中的所述一个第一电极;以及第二可变电阻材料层,所述第二可变电阻材料层插入在所述第一电极中的另一个第一电极与所述第二电极之间,其中所述第二可变电阻材料层直接耦接至所述第二电极和所述第一电极中的所述另一个第一电极,其中,所述成对的第一电极彼此电连接,以及所述第一可变电阻材料层的第一设定电压和第一复位电压分别与所述第二可变电阻材料层的第二设定电压和第二复位电压不同,其中,所述第一可变电阻材料层的材料、宽度以及厚度中的至少一种与所述第二可变电阻材料层的材料、宽度以及厚度中的至少一种不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的