[发明专利]接触孔中的阻隔层及其制造方法无效
| 申请号： | 201310085108.0 | 申请日： | 2013-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165439A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 钟飞;陈建维;韩晓刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种接触孔中的阻隔层及其制造方法，其中，所述接触孔中的阻隔层的制造方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有开口；在所述开口中形成Ti层；等离子体轰击所述Ti层，形成第一TiN层；在所述第一TiN层上形成第二TiN层。在本发明提供的接触孔中的阻隔层及其制造方法中，Ti层形成之后，通过等离子体轰击所述Ti层形成第一TiN层，从而在所述Ti层表面紧密地覆盖了一层TiN薄膜，TiN薄膜能够保护Ti层，避免Ti层在后续的制造工艺中发生氧化或者吸收水分。由此，接触孔中的阻隔层中的Ti层的性能能够保持稳定，接触孔的接触电阻也不会增大，从而改善了半导体器件的电气特性，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 中的 阻隔 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔中的阻隔层的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有开口；在所述开口中形成Ti层；等离子体轰击所述Ti层，形成第一TiN层；在所述第一TiN层上形成第二TiN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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