[发明专利]用于形成氮化物晶体的方法无效
| 申请号： | 201310081062.5 | 申请日： | 2007-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN103184519A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 史蒂芬·艾佛烈德·泰索;东-斯尔·帕克;约翰·托马斯·勒曼;马克·德艾芙琳;克里斯蒂·纳拉恩;慧聪·洪 | 申请（专利权）人： | 迈图高新材料公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B9/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供用于生长氮化物晶体的方法和选自AlN、InGaN、AlGaInN、InGaN和AlGaNInN中的一种的结晶成分。所述成分包括真的单晶，其从直径至少1mm的单核生长，没有横向应变和倾斜晶界，具有低于约104cm-2的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 氮化物 晶体 方法 | ||
【主权项】：
用于生长氮化物晶体的方法，其包括：提供包含低于1重量百分比氧的AlN或InN源材料，所述AlN源材料选自单晶或多晶AlN，或AlxGa1‑x‑yInyN，其中0≤x,y,x+y≤1，和x或y的至少之一为大于0.05；提供矿化剂；任选地，提供一个以上的晶种；提供囊体；用含氮溶剂填充该囊体；在高于约550℃温度下和高于约2kbar的压力下在超临界流体中处理该囊体和内含物。
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