[发明专利]三维层叠存储器件

摘要

本发明公开了一种三维层叠存储器件，包括半导体衬底；层叠有源图案，被配置成使得多个条状有源区和绝缘层在半导体衬底之上交替地层叠；栅电极，所述栅电极形成在层叠有源图案中；源极和漏极，在多个有源区中的每个中形成在栅电极的两侧；位线，形成在漏极的一侧以与漏极连接；阻变器件层，形成在源极的一侧以与源极连接；以及源极线，与阻变器件层连接。源极由具有第一导电类型的杂质区构成，漏极由具有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质区构成。

主权项

一种层叠存储器件，包括：半导体衬底；层叠有源图案，所述层叠有源图案被配置成使得多个条状有源区和绝缘层在所述半导体衬底之上交替地层叠；栅电极，所述栅电极形成在所述层叠有源图案中；源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述多个有源区的每个中形成在所述栅电极的两侧；位线，所述位线形成在所述漏极的一侧以与所述漏极连接；阻变器件层，所述阻变器件层形成在所述源极的一侧以与所述源极连接；以及源极线，所述源极线与所述阻变器件层连接，其中，所述源极由具有第一导电类型的杂质区构成，所述漏极由具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质区构成。