[发明专利]与改进的互补 MOSFET 开关相关的方法及装置无效

专利信息
申请号: 201310067924.9 申请日: 2013-03-04
公开(公告)号: CN103297013A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 尼科莱·加尼;肯纳斯·P·斯诺顿 申请(专利权)人: 飞兆半导体公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及与改进的互补MOSFET开关相关的方法及装置。在一个主要方面,一种装置可包括:包括第一部分及第二部分的互补开关电路,以及与所述互补开关电路的第一部分耦接的第一驱动器电路。所述装置可包括与所述第一驱动器耦接的正电荷泵器件,以及与所述互补开关电路的第二部分耦接的第二驱动器电路。所述装置还可包括与所述第二驱动器电路耦接的负电荷泵器件。
搜索关键词: 改进 互补 mosfet 开关 相关 方法 装置
【主权项】:
一种装置,包括:互补开关电路,包括第一部分及第二部分;第一驱动器电路,耦接至所述互补开关电路的第一部分;正电荷泵器件,耦接至所述第一驱动器;第二驱动器电路,耦接至所述互补开关电路的第二部分;以及负电荷泵器件,耦接至与所述第二驱动器电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞兆半导体公司,未经飞兆半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310067924.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top