[发明专利]准单晶硅的制备炉及制备方法有效
| 申请号： | 201310060315.0 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103160918A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 薛斌;奇向东;薛婷;龙晓红 | 申请（专利权）人： | 宏大中源太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B17/00 | 分类号： | C30B17/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 郑立明;赵镇勇 |
| 地址： | 017000 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种准单晶硅的制备炉及制备方法，属于单晶硅制备领域。该制备炉包括：炉体、夹持机构、支撑杆、冷却管路、坩埚、石墨块、升降机构、加热装置和保温壁；其中，坩埚设置在炉体内的底部，坩埚底部通过石墨块设置在伸出至炉体外的所述升降机构上；坩埚外周设置加热装置，加热装置与炉体内壁之间设置保温壁；夹持机构通过支撑杆设置在坩埚上方的炉体内，夹持机构与伸出至炉体外的冷却管路连接。该制备炉的炉体设计简单，不需要像提拉法生长所需的旋转机构即可实现超大体积、准单晶的制备，其成本低、能耗小、生长质量高，有利于太阳能电池生产成本降低，对于降低太阳能电池片生产成本和提高太阳能电池片效率具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种准单晶硅的制备炉，其特征在于，包括：炉体、夹持机构、支撑杆、冷却管路、坩埚、石墨块、升降机构、加热装置和保温壁；其中，所述坩埚设置在所述炉体内的底部，所述坩埚底部通过所述石墨块设置在伸出至所述炉体外的所述升降机构上；所述坩埚外周设置所述加热装置，所述加热装置与所述炉体内壁之间设置所述保温壁；所述夹持机构通过所述支撑杆设置在所述坩埚上方的所述炉体内，所述夹持机构与伸出至所述炉体外的所述冷却管路连接。
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