[发明专利]射频传输结构的形成方法有效
| 申请号： | 201310058917.2 | 申请日： | 2013-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103151293A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 刘张李;李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种射频传输结构的形成方法，包括：提供包括器件区和非器件区的半导体衬底，覆盖所述半导体衬底表面的隐埋氧化物层，覆盖所述隐埋氧化物层表面的半导体层；形成贯穿所述非器件区的半导体层和隐埋氧化物层的开口，所述开口暴露出半导体衬底表面；形成开口后，在所述器件区的半导体层表面形成栅介质层；形成覆盖所述栅介质层的栅电极层和陷阱富集层，所述陷阱富集层覆盖所述开口底部的半导体衬底，且所述栅电极层和陷阱富集层在同一工艺步骤中形成。形成的射频传输结构信号传输质量好，并且制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 传输 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种射频传输结构的形成方法，其特征在于，包括：提供包括器件区和非器件区的半导体衬底，覆盖所述半导体衬底表面的隐埋氧化物层，覆盖所述隐埋氧化物层表面的半导体层；形成贯穿所述非器件区的半导体层和隐埋氧化物层的开口，所述开口暴露出半导体衬底表面；形成开口后，在所述器件区的半导体层表面形成栅介质层；形成覆盖所述栅介质层的栅电极层和陷阱富集层，所述陷阱富集层覆盖所述开口底部的半导体衬底，且所述栅电极层和陷阱富集层在同一工艺步骤中形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
